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东莞五金电池片的金属电性能参数



五金电池片可分为单晶硅电池片和多晶硅单电池片。单晶硅电池的转换率高于多晶硅电池2-3%,多晶硅电池的弱光性好于单晶单晶太阳能电池规格:156×156±
  规格:156×156±0.5mm
  对角线:202±1.0mm
  硅片的厚度:220±20um

正面:有蓝色氮化硅反射膜,银汇流带(宽有1.8、1.6、正面:有蓝色氮化硅反射膜,银汇流带(宽有1.8、1.6、2毫米规格宽)

背面:全部由铝背场覆盖,有4毫米宽的银铝焊线

光生伏打原理
  当光线照射太阳电池表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了越迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下,将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的的实质是:光子能量转换成电能的过程。

铝背场
定义:为了改善硅太阳电池的效率,在p-n结制备完成后,往往在硅片的背面即背光面,沉积一层铝膜,制备P+层,称为铝背场。

作用:减少少数载流子在背面复合的概率。也可以作为背面的金属电极,还有可以扩散吸杂作用,与磷扩散吸杂不同,铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积,而在较高温度下,沉积的杂质易于溶解进入硅中,对Mc—Si产生不利的影响。

制备方法:最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉制备方法:最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉积一层铝膜,然后再800~1000℃积一层铝膜,然后再800~1000℃热处理,使铝膜和硅合金化并内扩散,形成一层高铝浓度掺杂的P+层,构成铝背金化并内扩散,形成一层高铝浓度掺杂的P+层,构成铝背场。
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